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射频晶体管
2SC5551AF-TD-E参考图片

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2SC5551AF-TD-E

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
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64.523
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¥4.9607
496.07
500
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1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5551A
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
300 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PCP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
1.3 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
51.150 mg
商品其它信息
优势价格，2SC5551AF-TD-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC243502FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,207.4615
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PTVA104501EH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
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D1003UK
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50:¥479.5607
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1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:17484
BFR 193L3 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
15,000:¥0.791
参考库存:77676
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