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射频晶体管

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T1G4020036-FL

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
260 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110866
商品其它信息
优势价格，T1G4020036-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC241702FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:36458
ARF463BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥254.8828
5:¥243.4246
10:¥235.8197
25:¥216.6888
参考库存:3173
DU2840V
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
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MHT1001HR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W
1:¥1,530.4946
5:¥1,496.3799
10:¥1,465.8021
25:¥1,444.1287
50:¥1,391.7306
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QPD2194SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:36475
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