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射频晶体管
2SK3557-6-TB-E参考图片

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2SK3557-6-TB-E

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
50 mA
最大漏极/栅极电压
- 15 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
系列
2SK3557
类型
JFET
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
35 mS
闸/源截止电压
- 0.7 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，2SK3557-6-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFV09P350-04GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,497.0014
参考库存:38606
PD85004
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
参考库存:30221
1214-32L
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:38613
GTVA104001FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
1:¥4,191.7802
50:¥4,191.7802
参考库存:5478
TGF2929-FL
Qorvo
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
1:¥2,881.50
25:¥2,600.5707
参考库存:5370
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