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射频晶体管
TGF2929-FL参考图片

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TGF2929-FL

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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数量单价合计
1
¥2,881.50
2881.5
25
¥2,600.5707
65014.2675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
28 V
增益
14 dB
输出功率
107 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
144 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
145 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.9 V
零件号别名
1123811
商品其它信息
优势价格，TGF2929-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
2,500:¥34.1147
参考库存:9623
ARF1500
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:1205
PXAC213308FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:34547
A2T07H310-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:34552
D5011UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE
1:¥243.2777
10:¥214.8469
25:¥194.9476
50:¥173.5793
参考库存:34557
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