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射频晶体管
MD7IC2012NR1参考图片

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MD7IC2012NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
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数量单价合计
1
¥300.4444
300.4444
5
¥285.2346
1426.173
10
¥280.3869
2803.869
25
¥254.1144
6352.86
500
¥216.7679
108383.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
31.5 dB
输出功率
1.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-14
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314984528
单位重量
1.652 g
商品其它信息
优势价格，MD7IC2012NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF5812GR1
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥46.104
10:¥38.5782
25:¥34.6571
50:¥30.736
1,000:¥21.5152
参考库存:8237
20939010101
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暂无价格
参考库存:37729
D1008UK
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-500MHz PP
1:¥1,139.0739
10:¥1,005.8356
25:¥892.5757
50:¥845.9293
参考库存:37734
STAC3933
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
1:¥836.0192
5:¥820.6512
10:¥783.6889
25:¥757.5633
参考库存:37739
PH3134-30S
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,900.9425
参考库存:37744
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