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射频晶体管

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TGF3021-SM

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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
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1
¥1,046.8659
1046.8659
25
¥905.4012
22635.03
100
¥783.0787
78307.87
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
GaN SiC
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
零件号别名
1121772
商品其它信息
优势价格,TGF3021-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
参考库存:7038
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥507.5282
参考库存:39505
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
1:¥386.7312
5:¥378.0528
10:¥363.295
25:¥351.543
参考库存:39510
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:39515
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:39520
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