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射频晶体管
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STAC2943

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
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数量单价合计
1
¥823.7248
823.7248
5
¥808.5828
4042.914
10
¥772.1629
7721.629
25
¥746.4215
18660.5375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
450 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single Common Source
工作频率
30 MHz to 175 MHz
系列
STAC2943
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格，STAC2943的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
10:¥2,382.04
25:¥2,151.52
参考库存:35771
AFT21S232SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
250:¥714.838
参考库存:35776
PD57030-E
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥335.2484
2:¥331.5646
5:¥327.8017
10:¥312.8179
参考库存:2716
ITC1100
Microchip / Microsemi
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射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,308.6448
参考库存:35783
MRF157
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:2438
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