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射频晶体管

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250	¥623.3306	155832.65

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	220 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 2.4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130969

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF24300-1STG	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300-1STG	1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033	参考库存:36864
CGH55030F2	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt	1:¥879.3547	参考库存:3824
A2T18H410-24SR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	150:¥1,925.8364	参考库存:36871
NPT25100B	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN	1:¥1,344.0898 2:¥1,306.9693 5:¥1,277.0017 10:¥1,239.6552	参考库存:3511
A2T26H165-24SR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	250:¥719.5275	参考库存:36878