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射频晶体管
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BLV10

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数量单价合计
1
¥484.092
484.092
10
¥403.41
4034.1
25
¥363.069
9076.725
50
¥322.728
16136.4
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
950 MHz
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:3989
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,974.0987
30:¥1,902.9426
参考库存:36946
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1024HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,167.3578
5:¥1,141.30
10:¥1,117.9429
25:¥1,101.4223
50:¥1,061.4655
参考库存:36951
射频晶体管
射频开发工具 QPA3506, Eval Board 3.4-3.6GHz
暂无价格
参考库存:36956
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:114146
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