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射频晶体管
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TP9383

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数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
16 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M177
封装
Tray
工作频率
108 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
230 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，TP9383的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S220-02NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥822.7304
参考库存:38424
BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:33824
BFU550R
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:115391
MRFE6VP61K25GNR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
150:¥1,033.5771
参考库存:38433
A2T18S160W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,160.3631
参考库存:38438
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