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射频晶体管
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CGHV96100F2

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
131 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440210
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
5.03 mm
长度
23.01 mm
工作频率
7.9 GHz to 9.6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
24.26 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV96100F2-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV96100F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA030121EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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