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射频晶体管
MRF6VP3091NBR5参考图片

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MRF6VP3091NBR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
115 V
增益
24 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz to 860 Mhz
系列
MRF6VP3091N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935319809578
单位重量
2 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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