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射频晶体管
MRF1513NT1参考图片

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MRF1513NT1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
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1
¥81.9928
81.9928
10
¥74.0715
740.715
25
¥64.6247
1615.6175
100
¥61.3929
6139.29
1,000
¥45.1774
45177.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
520 MHz
系列
MRF1513NT1
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.25 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935317216515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格，MRF1513NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
T1G4020036-FS
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Wolfspeed / Cree
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250:¥640.4614
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5:¥1,099.7386
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25:¥1,018.4351
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NE5550979A-EV04-A
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1:¥960.50
参考库存:39859
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