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射频晶体管
MRF422参考图片

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MRF422

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
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数量单价合计
1
¥509.6752
509.6752
10
¥490.081
4900.81
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-11
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
最大直流电集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF422的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:17236
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:36403
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:29613
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
20:¥1,788.1459
25:¥1,763.6362
50:¥1,642.7601
参考库存:36410
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
50:¥568.1527
100:¥563.4632
参考库存:36415
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