您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
MRF085HR3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRF085HR3

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF085H/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:34,916(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥868.9813
217245.325
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494128
单位重量
0 mg
商品其它信息
优势价格,MRF085HR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
参考库存:4198
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥945.6744
参考库存:35735
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:35740
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:21220
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥768.7842
参考库存:35747
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号