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射频晶体管
T2G6003028-FS参考图片

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T2G6003028-FS

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
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数量单价合计
1
¥1,083.444
1083.444
25
¥937.0638
23426.595
100
¥810.5038
81050.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
封装
Tray
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1100021
商品其它信息
优势价格,T2G6003028-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-400MHz SE
50:¥446.5195
100:¥439.683
参考库存:35100
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:35105
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:12810
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:27197
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:35114
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