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晶体管
DMN2016LHAB-7参考图片

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DMN2016LHAB-7

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库存:5,803(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
3,000
¥1.5368
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2030-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2016
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2016LHAB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
4,000:¥2.5877
8,000:查看
参考库存:306762
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:233884
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:8086
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:16393
晶体管
IGBT 模块 PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
1:¥595.0467
5:¥584.1422
10:¥569.0793
25:¥557.8584
参考库存:4035
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