NXH80B120H2Q0SG详细参数_参考价格_NXH80B120H2Q0SG PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.2 V
在25 C的连续集电极电流	40 A
栅极—射极漏泄电流	200 nA
Pd-功率耗散	103 W
封装 / 箱体	Q0BOOST
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
商标	ON Semiconductor
安装风格	Press Fit
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	24
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，NXH80B120H2Q0SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TN2540N3-G P013	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	1:¥11.4469 10:¥9.5259 25:¥7.91 100:¥7.2207 2,000:¥4.6556	参考库存:24623
FF450R12ME3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A	1:¥1,353.8417 5:¥1,321.2638 10:¥1,288.4486 25:¥1,270.3912	参考库存:2195
ATP101-V-TL-H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES	1:¥4.068 10:¥3.3222 100:¥2.0227 1,000:¥1.5707 3,000:¥1.3334	参考库存:1127127
IPW50R250CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP	1:¥23.052 10:¥19.5942 100:¥16.9839 250:¥16.1364 500:¥14.4414	参考库存:3329
PBSS5240TVL	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5240T/TO-236AB/REEL 11" Q3	10,000:¥0.52997 20,000:¥0.49946 50,000:¥0.44522 100,000:¥0.43053	参考库存:24634