DTC114YCAHZGT116详细参数_参考价格_DTC114YCAHZGT116 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	100 mV
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTC114YCAHZG

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DDTC143TE-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K	3,000:¥0.3842 9,000:¥0.32996 24,000:¥0.30736 45,000:¥0.29154	参考库存:260032
IPZA60R045P7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	240:¥56.3983 480:¥53.8671 720:¥49.0985 1,200:¥42.7253	参考库存:43731
PBSS8510PA,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR	3,000:¥1.11418 9,000:¥1.04525 24,000:¥0.9831 45,000:¥0.9605 99,000:¥0.92999	参考库存:43736
AFT09H310-04GSR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS	150:¥1,030.3453	参考库存:43741
STB20N60M2-EP	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package	1,000:¥8.9157 2,000:¥8.2942 5,000:¥7.9891 10,000:¥7.684	参考库存:43746