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晶体管
SSM6L39TU,LF参考图片

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SSM6L39TU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.07576
3227.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UF-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
247 mOhms, 430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV, 300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, 8 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC, 6.4 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
系列
SSM6L39
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6L39TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHB12N50E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥18.3625
10:¥15.2098
100:¥11.8311
500:¥10.2943
参考库存:8786
ADTC144EUAQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4803
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:84083
FGH40T120SQDNL4
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A UFS
1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.6464
100:¥40.4992
参考库存:8070
LSIC1MO120E0160
Littelfuse
晶体管
MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
1:¥84.524
10:¥76.84
25:¥71.077
50:¥67.235
参考库存:7652
SQR40N10-25_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 40A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.5316
2,000:¥8.1473
4,000:查看
参考库存:12414
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