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晶体管
NVMFS4C01NT1G参考图片

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NVMFS4C01NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
1,500
¥7.119
10678.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
370 A
Rds On-漏源导通电阻
560 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
139 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
161 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
183 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
68 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
107.200 mg
商品其它信息
优势价格,NVMFS4C01NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 5.0A 1.7W 45mohm @ 4.5V
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥6.4975
6,000:查看
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1:¥6.6105
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参考库存:28276
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1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3053
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1,500:¥2.6668
9,000:查看
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射频开发工具 1800W - 230MHz
1:¥6,915.826
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