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晶体管
STP11NK50Z参考图片

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STP11NK50Z

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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数量单价合计
1
¥16.5206
16.5206
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.831
4915.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
520 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NK50Z
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
14.5 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STP11NK50Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:22233
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
10,000:¥2.9267
参考库存:22238
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.8421
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:22243
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP -.1A -50V 47kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:22248
晶体管
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
4,000:¥2.2374
参考库存:21845
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