RN2109MFV,L3F详细参数_参考价格_RN2109MFV,L3F PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	2.14
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2109MFV
封装	Cut Tape
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 15 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
单位重量	1.500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDN537N	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET	1:¥4.0002 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 3,000:¥1.3334	参考库存:51147
SIR124DP-T1-RE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥8.2942 10:¥6.8591 100:¥5.2658 500:¥4.5313 3,000:¥3.3335 6,000:查看	参考库存:31209
BSZ42DN25NS3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥8.4524 10:¥7.2207 100:¥5.537 500:¥4.8929 5,000:¥3.4239 10,000:查看	参考库存:43241
BSL296SNH6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH	1:¥5.0737 10:¥4.2601 100:¥2.7459 1,000:¥2.1922 3,000:¥1.8532	参考库存:16213
BSZ16DN25NS3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥12.7577 10:¥10.8367 100:¥8.6784 500:¥7.6049 5,000:¥5.65 10,000:查看	参考库存:51215