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晶体管
TPS1101DR参考图片

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TPS1101DR

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
2,500
¥7.1868
17967
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
791 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1101
晶体管类型
1 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1101DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UniFET 500V 4A
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
2,500:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:14421
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 1A
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:73153
晶体管
达林顿晶体管 Low Volt NPN Darlington Trans
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
参考库存:7760
晶体管
MOSFET N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
参考库存:18102
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
4,000:¥4.0454
参考库存:23254
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