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晶体管
TSM9N90ECI C0G参考图片

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TSM9N90ECI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 900V 9Amp 1.4 N channel Mosfet
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¥11.9102
47640.8
5,000
¥11.4469
57234.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
1.13 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
159 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
212 ns
典型接通延迟时间
52 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:105614
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