MUN5335DW1T1G详细参数_参考价格_MUN5335DW1T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5335DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFR9120TRLPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK	1:¥9.6841 10:¥7.9891 3,000:¥7.9891	参考库存:12090
IRF9Z14PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET	1:¥8.5315 10:¥6.9156 100:¥6.0455 500:¥4.6895 1,000:¥3.7064	参考库存:10267
FQD8P10TM-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V P-Channel QFET	1:¥8.7575 10:¥7.4806 100:¥5.7517 500:¥5.0737 1,000:¥4.0115 2,500:¥4.0115	参考库存:14409
IRFR210PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp	1:¥7.684 10:¥6.2376 100:¥5.5144 500:¥4.2827 1,000:¥3.3787	参考库存:14231
BFR 106 E6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.78422 9,000:¥0.72998	参考库存:20263