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晶体管
BC856BS,115参考图片

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BC856BS,115

  • Nexperia
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.0792
2.0792
10
¥1.4577
14.577
100
¥0.60681
60.681
1,000
¥0.41471
414.71
3,000
¥0.32318
969.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
290
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,BC856BS,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:25833
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,382.7358
5:¥1,351.8416
10:¥1,324.1792
25:¥1,304.6641
参考库存:25838
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥855.1501
参考库存:25843
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BL Bipolar Discretes
10,000:¥0.5537
30,000:¥0.51528
50,000:¥0.46104
100,000:¥0.44522
参考库存:25848
晶体管
MOSFET Nch Power MOS FET -
1:¥4.1471
10:¥3.0284
100:¥1.9097
500:¥1.5481
10,000:¥1.2204
参考库存:25853
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