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晶体管
FZT655TA参考图片

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FZT655TA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT655
直流电流增益 hFE 最大值
50
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，FZT655TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD19N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:16592
SIHB20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥25.3572
10:¥20.9728
100:¥17.289
250:¥16.7466
参考库存:18274
SIRA24DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.7574
10:¥5.5935
100:¥4.294
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:4826
CSD18510KTT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET GEN1.4 40V-20V
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
参考库存:20438
IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥53.4829
10:¥48.3301
25:¥46.104
100:¥40.0359
1,000:¥30.3518
2,000:查看
参考库存:13765
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