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晶体管
SIA517DJ-T1-GE3参考图片

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SIA517DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.8928
289.28
500
¥2.373
1186.5
1,000
¥1.8419
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms, 61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S, 11 S
下降时间
10 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 30 ns
零件号别名
SIA517DJ-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SIA517DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.01 Ohm, 55 A, I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:14452
晶体管
MOSFET 1200V 45A Standard
1:¥303.5971
5:¥288.5342
10:¥280.8502
25:¥273.008
50:¥258.0242
参考库存:5149
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A Transistor
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:8236
晶体管
MOSFET 60V 200mW
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:832728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥136.5492
10:¥124.0966
25:¥114.7967
50:¥108.5704
参考库存:5140
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