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晶体管
DMN31D5UFZ-7B参考图片

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DMN31D5UFZ-7B

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
2,500
¥0.71416
1785.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0606-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
350 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
393 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN31
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
商品其它信息
优势价格，DMN31D5UFZ-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C025NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
5,000:¥1.5594
参考库存:21550
PMPB100ENEAX
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET SOT1220
暂无价格
参考库存:21555
RJK5035DPP-E0#T2
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晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:21560
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
参考库存:21565
IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:21570
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