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晶体管
FDMC6675BZ参考图片

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FDMC6675BZ

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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.2376
62.376
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
3,000
¥2.9606
8881.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
14.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMC6675BZ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,FDMC6675BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥3.9889
10,000:¥3.842
参考库存:52769
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
5,000:¥1.4238
10,000:¥1.2543
25,000:¥1.1865
50,000:¥1.1526
参考库存:52774
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR SMTSST
10,000:¥0.30736
20,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:52779
晶体管
MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V
3,000:¥10.9158
6,000:¥10.5316
9,000:¥10.1474
参考库存:52784
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
2,500:¥8.8366
5,000:查看
参考库存:52789
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