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晶体管
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R6035KNZ1C9

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
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¥38.194
38.194
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
379 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
R6035KNZ1
单位重量
6 g
商品其它信息
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