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晶体管
STGWT40HP65FB参考图片

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STGWT40HP65FB

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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:7,597(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40HP65FB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40HP65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V 40A FS2 Trench IGBT
1:¥49.7878
10:¥42.3411
100:¥36.6572
250:¥34.804
参考库存:4762
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥31.6626
10:¥26.894
100:¥23.3571
250:¥22.1254
参考库存:5679
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:25071
晶体管
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.1132
100:¥3.051
500:¥2.5086
3,000:¥1.7628
6,000:查看
参考库存:405468
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
1:¥19.6733
10:¥18.0574
25:¥16.3624
100:¥14.7578
参考库存:8170
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