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晶体管
APT43GA90BD30参考图片

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APT43GA90BD30

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥72.2296
72.2296
10
¥65.0089
650.089
25
¥59.1668
1479.17
50
¥55.1666
2758.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
337 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT43GA90BD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:15794
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
5,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:26204
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥521.5854
5:¥511.9804
10:¥498.7707
25:¥488.9284
参考库存:26209
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
1:¥5.6048
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.4295
参考库存:26214
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:19811
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