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晶体管
DMN66D0LT-7参考图片

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DMN66D0LT-7

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库存:19,398(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
115 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN66
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,DMN66D0LT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCES 40V PNP CHIPFET
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
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晶体管
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1:¥4.8364
10:¥3.7064
100:¥3.2544
500:¥2.9154
7,000:¥1.5142
21,000:查看
参考库存:27796
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6049
参考库存:20298
晶体管
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1:¥47.0306
10:¥42.488
25:¥40.4992
100:¥35.1882
参考库存:12500
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