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晶体管
APT45GP120J参考图片

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APT45GP120J

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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库存:3,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥286.455
286.455
2
¥278.6241
557.2482
5
¥270.9401
1354.7005
10
¥263.177
2631.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
Chassis Mount
配置
N-Channel
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
329 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT45GP120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Dual Complementary NPN & PNP
1:¥3.842
10:¥2.9154
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
8,000:¥0.99892
24,000:查看
参考库存:43118
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
1:¥8.3733
10:¥7.1981
100:¥5.5257
500:¥4.8816
1,000:¥3.8533
参考库存:16410
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,000:¥13.447
2,000:查看
参考库存:4012
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5427
6,000:查看
参考库存:24619
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.1303
4,800:¥4.9946
9,600:查看
参考库存:24931
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