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晶体管
STGB20M65DF2参考图片

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STGB20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存:6,695(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:25651
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:25656
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF5/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:25661
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:25666
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.9948
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,500:¥4.0906
参考库存:17663
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