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晶体管
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IPB009N03L G

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数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB009N03LGATMA1 IPB9N3LGXT SP000394657
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB009N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HFA3046BZ
Renesas / Intersil
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
1:¥71.4612
10:¥64.5456
50:¥61.5511
100:¥53.4829
参考库存:11562
FDMS3606AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:13679
SI4634DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.8139
2,500:¥6.4975
参考库存:15346
FCH023N65S3L4
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
1:¥91.0554
10:¥83.6765
25:¥80.2187
100:¥70.6928
参考库存:5413
CPH3356-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:35660
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