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晶体管
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APT29F100B2

  • Microsemi
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  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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数量单价合计
1
¥151.8381
151.8381
10
¥138.0069
1380.069
25
¥127.6335
3190.8375
50
¥120.7179
6035.895
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
T-MAX-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.04 kW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
39 ns
商品其它信息
优势价格，APT29F100B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF600R12IP4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,400.5542
5:¥3,195.6174
参考库存:7381
MMSTA56T146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:39065
BCX71JE6433HTMA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39070
DTA114YUBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:39075
NVMFS5832NLT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
5,000:¥4.181
10,000:¥4.0228
参考库存:39080
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