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晶体管
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APT80GA60B

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
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库存：3,742(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.5242
88.5242
10
¥79.6876
796.876
25
¥72.6138
1815.345
50
¥67.6192
3380.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
143 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
143 A
高度
21.46 mm
长度
16.26 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
5.31 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
143 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT80GA60B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHFR9310TR-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:12841
IRF200P222
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥57.0876
10:¥51.5619
25:¥49.1776
100:¥42.7253
参考库存:11038
MCH3484-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 0.9V DRIVE SERIE
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:70640
STDV3055L104T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 12A 0.104R
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2205
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:17792
RGW60TS65GC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥30.736
10:¥26.1256
100:¥22.6678
250:¥21.5152
参考库存:5539
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