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晶体管
DMT35M7LFV-13参考图片

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DMT35M7LFV-13

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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.98 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
商品其它信息
优势价格,DMT35M7LFV-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥740.3534
2:¥717.3805
5:¥717.1432
10:¥694.0234
参考库存:4587
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥29.7416
10:¥25.2781
100:¥21.8994
250:¥20.7468
参考库存:6659
晶体管
MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.2148
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.5763
20,000:查看
参考库存:96661
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
800:¥5.4579
参考库存:9048
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.80682
参考库存:45210
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