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晶体管
KSD882YSTU参考图片

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KSD882YSTU

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.6046
160.46
1,000
¥1.243
1243
2,500
¥1.05994
2649.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD882
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSD882YSTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2376
1,500:¥5.8195
参考库存:27814
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:67411
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8365
500:¥6.0342
5,000:¥4.2262
10,000:查看
参考库存:8078
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 104A
1,500:¥15.4471
4,500:¥14.9047
参考库存:27823
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:27828
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