MMUN2132LT1G详细参数_参考价格_MMUN2132LT1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	246 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MMUN2132L
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	15
高度	0.94 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DDTB123TU-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K	3,000:¥0.36838 9,000:¥0.31527 24,000:¥0.29945 45,000:¥0.27685	参考库存:44379
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