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晶体管
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2N6316

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
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数量单价合计
1
¥116.1075
116.1075
10
¥114.9549
1149.549
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥97.6659
9766.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-66-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6316
直流电流增益 hFE 最大值
100 at 2.5 A, 4 V
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 500 mA, 4 V
Pd-功率耗散
90 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
零件号别名
2N6316 PBFREE
单位重量
5.840 g
商品其它信息
优势价格,2N6316的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:116035
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
参考库存:12522
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
参考库存:9369
晶体管
MOSFET N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:29561
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:4343
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