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晶体管
SPU04N60C3参考图片

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SPU04N60C3

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 4.5A IPAK-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
1,000
¥5.6274
5627.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58.5 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SP000095850 SPU04N60C3BKMA1 SPU4N6C3XK
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPU04N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3056LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET PMOS-DUAL
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,500:¥2.1244
参考库存:29521
DTA115EM3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:84678
FJP3305H2TU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trans
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
参考库存:7565
STF5N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:9682
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥46.0249
10:¥39.1093
100:¥33.8887
250:¥32.1937
500:¥28.8941
参考库存:4689
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