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晶体管
IRGP4062DPBF参考图片

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IRGP4062DPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存:4,996(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.0984
47.0984
10
¥40.0359
400.359
100
¥34.6571
3465.71
250
¥32.883
8220.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545058
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4062DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
1:¥29.2783
10:¥24.8939
100:¥21.5943
250:¥20.4417
1,500:¥14.7578
参考库存:5466
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:19938
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
1:¥44.7254
10:¥38.0358
100:¥32.9621
250:¥31.2784
500:¥28.0466
参考库存:9705
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150mW TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:98037
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:216789
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