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晶体管
FDN337N参考图片

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FDN337N

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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89157
2674.71
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN337N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
FDN337N_NL
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,FDN337N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.6388
500:¥6.7574
参考库存:21671
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.1472
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:47463
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:18880
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
参考库存:13227
晶体管
MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm
1:¥3.5369
10:¥2.4634
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.73789
参考库存:88469
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