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晶体管
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DMP3028LPSQ-7

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
17.74 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.8 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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5,000:查看
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晶体管
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1:¥921.0856
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10:¥17.6732
100:¥14.1363
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晶体管
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1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:6106
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