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晶体管
DMT31M7LPS-13参考图片

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DMT31M7LPS-13

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库存:47,564(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.5934
8983.5
10,000
¥3.4578
34578
25,000
¥3.3448
83620
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
34.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49.6 ns
典型接通延迟时间
6.9 ns
商品其它信息
优势价格,DMT31M7LPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥1.11418
参考库存:28380
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.04525
参考库存:28385
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms
1:¥34.804
10:¥29.5834
100:¥25.6623
250:¥24.3628
4,000:¥16.8257
参考库存:28390
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSP LOW VCES 30V NPN XTR
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:28395
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
50,000:¥0.33787
参考库存:28400
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