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晶体管
IPW60R160C6参考图片

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IPW60R160C6

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
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库存:3,238(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.6626
31.6626
10
¥26.894
268.94
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.1254
5531.35
500
¥19.8202
9910.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23.8 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPW60R160C6FKSA1 IPW6R16C6XK SP000652798
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R160C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 400V N-Channel QFET
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:8408
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:32320
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 80V
1:¥4.2262
10:¥3.4578
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
2,000:¥1.3899
参考库存:67382
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
参考库存:9449
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:19281
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